Rapidus、东京大学与法国半导体研究机构Leti合作开发1nm制程半导体

11-17 13:08 星期五

日本经济新闻

【Rapidus、东京大学与法国半导体研究机构Leti合作开发1nm制程半导体】《科创板日报》17日讯，Rapidus、东京大学将与法国半导体研究机构Leti合作，共同开发电路线宽为1纳米级的新一代半导体设计的基础技术。据悉，1纳米产品需要不同于传统的晶体管结构，Leti在该领域的成膜等关键技术上占优。 (日本经济新闻)

财联社声明：文章内容仅供参考，不构成投资建议。投资者据此操作，风险自担。