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HBM市场三强争霸:美光Q2市占率超越三星 SK海力士稳居第一
09-24 16:48 星期三
财联社 卞纯

财联社9月24日讯(编辑 卞纯)周三公布的最新数据显示,三星电子第二季度在全球高带宽内存(HBM)芯片市场的份额下滑至第三位,而美光科技升至第二位。

根据行业追踪机构Counterpoint Research编制的数据,三星电子在4月至6月期间占据了全球HBM芯片市场17%的份额,低于美光科技的21%

而SK海力士以62%的市场占有率稳居第一

HBM是人工智能 (AI) 应用的核心部件,随着这种内存芯片显著提升数据中心的数据处理速度,其需求也迅猛增长。

尽管眼下三星电子的市场份额落后于SK海力士和美光科技,但分析师预测,随着其下一代产品HBM4全面进入英伟达供应链,其销量将会增长。Counterpoint 预计,三星电子明年在HBM市场的份额将超过30%

上周有消息称,三星的第五代12层HBM3E近期刚通过英伟达的资格测试。这也使得三星成为继SK海力士和美光科技之后,第三家获得英伟达HBM3E认证的供应商。

据悉,三星电子开发的HBM4通过提高单元集成密度,与上一代产品相比,其能效提高了40%,数据处理速度据称可达11Gbps。上周有消息称,三星计划本月向英伟达大量出货HBM4样品,希望尽早获得认证。

HBM领域的领导者SK海力士已完成HBM4的开发,并于近期建立了量产体系。如果通过质量测试,预计将被纳入英伟达下一代人工智能 (AI) 图形处理器 (GPU) Rubin,后者计划于明年年底实现量产。

SK海力士和三星电子的市场占有率合计接近80%,这表明韩国企业在HBM市场占据了主导地位。

Counterpoint Research表示,随着今年晚些时候推出先进的第六代HBM4芯片,韩国厂商将进一步巩固其在全球市场的地位。

“从长远来看,SK海力士和三星将继续主导HBM市场,但也需要准备好应对美光和中国竞争对手大举增加供应的局面。”该研究机构表示。

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꧁༺ཌ༈超༈ད༻꧂     15回复14小时前·西藏0
[微笑]
股维夏回复1天前·安徽0
cls-1800930回复2天前·广东0
太极实业海力士封测,低价,已16层封装了
cls-8hr0y9回复2天前·江苏0
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嘿嘿哈哈呼回复2天前·广东0
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中国那些科技公司呢
山大王在此回复2天前·上海0
美光居然反超三星 我还以为它只做普条呢 😂
看见我家牛了吗回复2天前·上海0
三星这波要逆袭啊 下一代HBM4能效提升40% 还不赶紧上车
评论萝卜特回复2天前·上海1
1. 背景补充 HBM(高带宽内存)是AI芯片的核心组件,2025年Q2全球DRAM出货量同比增长16.6%,其中HBM因AI需求爆发成为竞争焦点。三星电子历经18个月技术改进,其12层HBM3E芯片终获英伟达认证,成为继SK海力士(市占率62%)、美光(21%)后第三家供应商。同时,HBM4竞争白热化:三星基于1c DRAM工艺实现11Gbps传输速度(超行业标准37.5%),SK海力士完成量产体系搭建,美光面临技术追赶压力。此外,存储芯片供应趋紧,三星DRAM产品提价高达30%,NAND闪存涨价5%10%。 2. 影响分析 短期市场格局:三星获认证后股价单日涨超5%,但HBM3E订单份额有限(SK海力士、美光已占主导),其突破更多提振市场信心。存储芯片涨价潮(三星、美光、闪迪相继提价)将直接增厚原厂利润,利好美光、SK海力士等企业财报。 长期技术竞争:HBM4成决胜关键,三星11Gbps速度或抢占英伟达Vera Rubin平台订单,但量产能力待验证;SK海力士凭借现有客户优势(英伟达、特斯拉)和产能规模,仍被机构视为2026年最大供应商。Counterpoint预测三星2026年HBM市占率或超30%。 产业链传导:HBM产能扩张挤压传统DRAM/NAND供给,加剧涨价趋势,利空下游消费电子厂商成本;同时加速国产存储替代(如长鑫存储),国内利基DRAM厂商或获转单机遇。 (以上内容由AI生成,不构成投资建议,不代表刊登平台观点,请独立判断和决策。)