《科创板日报》12月1日讯 伴随谷歌第七代TPU的崛起，HBM市场需求或持续增长。

据韩国《朝鲜日报》等媒体报道，三星电子和SK海力士已成为谷歌TPU供应链中的关键参与者。其中，SK海力士或成为谷歌第七代TPU内部HBM3E 8层芯片的首选供应商，并将独家为第七代改进型产品（TPU 7e）提供HBM3E 12层芯片，使之具备更高的能效。

KB证券认为，谷歌通过TPU扩展其AI生态系统，或增加三星电子尖端晶圆代工厂的内存供应量，并提高其产能利用率。该机构指出，谷歌第七代TPU预计将采用HBM3E，而第八代TPU预计将采用HBM4，因此三星电子明年的HBM供应量将比上一年翻一番以上。

韩国投资证券分析师预测，今年SK海力士将占谷歌TPU中HBM供应量的56.6%，三星电子将占43.4%。Meritz Securities则认为，SK海力士的市场份额将达到60%。

此前，HBM市场素来围绕英伟达GPU运转，而TPU的出现或将颠覆此格局。与GPU类似，每个TPU内部集成6-8个HBM模块，因此TPU的扩展将直接决定未来HBM需求。而除了TPU外，韩国投资证券指出，来自Meta和亚马逊AWS的定制芯片也有望推动HBM市场增长。

HBM需求的增长则有望继续带动DRAM价格，KB证券表示，2026年服务器采用的DRAM需求将比上一年增长35%，但供应量却最多增长20%，意味着其价格上涨势头可能加剧。

基于上述趋势，DRAM和NAND Flash原厂的重心正逐渐转变，从单纯扩产转向制程技术升级、高层数堆栈、混合键合以及HBM等高附加价值产品。

根据TrendForce的数据，2025年DRAM的资本支出预计为537亿美元，预计在2026年进一步成长至613亿美元，同比增长约14%。2025年NAND Flash的资本支出预计为211亿美元，2026年预计小幅增长至222亿美元，同比增长约5%。

国金证券指出，AI驱动存储需求快速攀升，存储原厂资本开支还未进入扩张周期。当前行业无尘室空间已接近瓶颈，各大DRAM厂商中仅三星与SK 海力士仍具备有限的扩线空间，即使资本开支上修，2026年产能增量亦有限。

在新增产能有限的前提下，中泰证券表示，受AI推理需求爆发的驱动，判断2026年全年存储将处于供需偏紧的状态。目前除了主流DRAM、NAND价格上涨外，利基存储DRAM、2DNAND（包括SLC、MLCNAND）和NORFlash自25Q3全面涨价。存储超级大周期，驱动存储公司Q3开始盈利能力明显提升，预计随着后续继续涨价，盈利能力有望持续提升。