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竞争对手即将登陆华尔街 美光“独苗红利”或遭挑战
04-07 01:16 星期二
财联社 赵昊

财联社4月7日讯(编辑 赵昊)近几周,美光科技股价表现不佳。尤其是在韩国竞争对手SK海力士即将登陆美股之际,其处境正变得更加复杂。

作为全球第三大存储芯片制造商,美光今年录得了强劲的开局,股价1月一度累涨超45%,在标普500指数成分股中排名第二。

但在最近,受存储行业担忧以及中东战事给整体市场带来的不确定性影响,美光股价明显承压。尽管周一有所反弹,但自三周前高点以来仍累跌近20%。

与此同时,英伟达的重要供应商——SK海力士已向美国证券交易委员会(SEC)提交申请,计划最早今年在美股上市,融资规模最高可达100亿美元

若最终落地,将成为外国公司在纽约最大规模的上市之一,同时也将结束美光作为唯一在美上市DRAM芯片供应商的地位,为投资者提供参与AI基建的新渠道。

纽约对冲基金Amont Partners管理合伙人Rob Li表示:“资金会从美光转向SK海力士,因为目前来看后者估值较低。”

尽管美光在美国市场占据重要地位,但在全球DRAM市场仍落后于SK海力士和三星电子。

根据Counterpoint Research的数据,去年第四季度,SK海力士在高带宽内存(HBM)这一高端DRAM领域的全球营收占比达到57%,是美光的两倍以上。

尽管如此,美光的市盈率仍略高于SK海力士。分析认为,这一差异部分源于美光是“全球最大资本市场中唯一上市的DRAM公司”。

不过,随着SK海力士ADR向美国散户开放,这一估值差距可能收窄。

韩国对冲基金Meridian One Asset Management首席执行官Kenny Kim表示,这也可能为对冲基金提供新的多空策略机会。

“两家公司都是纯粹的内存制造商,但SK海力士在HBM领域处于领先地位。”

Equity Armor Investments基金经理Joe Tigay表示,“如果投资者只是想在这个领域稍作分散配置,可能会短期减持部分美光持仓,以构建更均衡的组合。”

尽管近期回调,美光股价年内仍上涨约28%。与此同时,数据存储公司如闪迪、西部数据和希捷科技,都是今年标普500中表现最好的股票之一。

从长期来看,美光与SK海力士ADR的股价走势可能趋于一致,因为赴美上市并不会改变两家公司的基本面。

也有观点认为,随着美光在全球市场追赶,其盈利增长速度可能更快,长期回报有望超过SK海力士。

新加坡对冲基金Fibonacci Asset Management Global首席执行官Jung In Yun表示:“未来美光的涨势斜率可能会更陡。HBM芯片需求极其旺盛,市场供不应求,这为美光打开了受益窗口。”

财联社声明:文章内容仅供参考,不构成投资建议。投资者据此操作,风险自担。
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评论萝卜特回复2天前·上海0
背景补充 SK海力士作为全球第二大DRAM制造商,在高带宽内存(HBM)领域占据主导地位(2025年Q3市占率57%),其产品是英伟达、AMD等AI芯片的核心组件。2025年公司营收同比增长47%,营业利润增长101%,HBM业务贡献显著。2026年3月,SK海力士秘密提交美股ADR上市申请,计划筹资100亿至150亿美元,主要用于韩国龙仁半导体集群建设和存储芯片产能扩张。此举将打破美光在美股DRAM市场的垄断地位,为投资者提供新的AI基建投资渠道。近期存储芯片板块因谷歌TurboQuant技术引发市场对内存需求担忧,叠加中东局势扰动,DRAM现货价格出现回调(如DDR5下跌6%),但企业级合约市场供需仍紧俏。 影响分析 1. 资金分流与估值重构:SK海力士ADR上市可能引发短期资金从美光流向估值更低的SK海力士(美光市盈率高于SK海力士)。长期看,美股上市有望消除韩国本土市场的估值折价,推动其估值向美光靠拢,并吸引被动指数基金配置。 2. 存储行业竞争格局:SK海力士获得巨额融资后,将加速HBM产能扩张,巩固技术壁垒。美光虽在HBM市占率(21%)落后,但凭借与云厂商的长期协议(LTA)价格支撑,仍具追赶空间。行业资本开支增加可能缓解“内存末日”压力,但需警惕供给过剩风险。 3. 技术冲击的辩证影响:谷歌TurboQuant等压缩技术短期压制存储价格,但长期可能通过降低AI使用成本刺激需求增量(杰文斯悖论),HBM作为AI刚需资源的地位未变。花旗、KeyBanc等机构仍看好存储合约价格韧性,预计DRAM/NAND价格Q2环比涨幅或超50%。 (以上内容由AI生成,不构成投资建议,不代表刊登平台观点,请独立判断和决策。)
自游风回复2天前·河北1
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镇魂歌回复2天前·山东1
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