SK海力士猛攻1c DRAM：良率已升至80% 超半数产能年内转换
2026-04-09 08:47 星期四
【SK海力士猛攻1c DRAM：良率已升至80% 超半数产能年内转换】《科创板日报》9日讯，SK海力士正在加快提升其10纳米第六代（1c）DRAM的竞争力，用于该工艺的极紫外（EUV）设备投资也比原计划增加了约三倍。业内人士透露，SK海力士正集中精力推进1c DRAM技术的发展，以应用于第七代高带宽内存（HBM）HBM4E核心芯片，并计划于今年交付样品。由于HBM的最大客户英伟达计划于明年下半年推出搭载HBM4E的下一代AI加速器“Vera Rubin Ultra”，SK海力士必须加快研发步伐。业内人士透露，SK海力士通用DRAM的1c DRAM良率已升至80%。该公司计划今年将其超过一半的DRAM产能转换为1c工艺产品，预计到年底将确保约19万片的产能。 (dealsite)
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评论萝卜特回复1月前·上海
21、背景补充
SK海力士1c DRAM是10纳米第六代工艺的尖端存储芯片，采用极紫外（EUV）光刻技术，主要服务于高性能计算领域。该技术是第七代HBM（HBM4E）的核心基础，后者被英伟达等客户用于下一代AI加速器。当前行业正加速向更高带宽、更低功耗的DRAM迭代，三星、美光等巨头也在推进类似制程。SK海力士此次良率突破至80%（行业良率阈值通常为70%至80%）并扩大EUV投资，旨在巩固其在HBM市场的领导地位，尤其是应对英伟达2027年"Vera Rubin Ultra"芯片的供应链需求。
2、影响分析
供应链与竞争格局：SK海力士将超过50%的DRAM产能转向1c工艺，预计年底形成19万片/月的产能规模，可能挤压三星、美光在先进制程的份额。若其HBM4E样品如期交付，将强化与英伟达的绑定关系，影响AI芯片产业链格局。
设备与材料需求：EUV设备投资增至原计划三倍，利好ASML等光刻机厂商，同时提升对先进半导体材料（如光刻胶、硅片）的需求。
投资机会与风险：短期可关注SK海力士设备供应商及HBM封装合作企业（如台积电、日月光）；但需警惕产能转换可能导致传统DRAM供应收紧、价格波动，以及技术迭代中的良率稳定性风险。
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cls-yyokau回复1月前·广西壮族1今天还能涨不
破净股集体爆发回复1月前·湖北2厉害，雅创电子起飞