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存储三巨头押注DRAM新技术 或打开两类接口芯片空间
2026-05-06 16:17 星期三
科创板日报 张真

《科创板日报》5月6日讯 据ZDNet报道,服务器DRAM模块的最新一代标准“MRDIMM”已经进入最后开发阶段,联合电子设备工程委员会(JEDEC)的成员包括三星电子、SK海力士和美光等主要存储器公司正在积极开发MRDIMM产品,以满足未来不断增长的需求

有别于HBM与GPU集成,MRDIMM将用作CPU直接访问的主内存。作为新一代服务器DRAM模块,其专为人工智能和高性能计算(HPC)任务而优化, 能够同时运行两个内存通道,因此可提供更快的数据处理速度。

资料显示,相较于标准DDR5 RDIMM,第一子代MRDIMM可达到8800MT/s的数据传输速率,峰值带宽提高近40%,缓解了现代处理器核心数量提升带来的每核心内存带宽下降问题。

由于MRDIMM是内存行业的最新技术,因此尚未标准化或商业化,而仅只有少数型号的CPU支持MRDIMM,如英特尔的“至强6”。联想技术产品指南则强调,采用下一代CPU的服务器设计人员越来越多地转向使用MRDIMM来缓解日益严重的内存带宽瓶颈。

值得一提的是,美国内存巨头美光早在2024年即开始提供MRDIMM 样品,其技术基于 DDR5 物理和电气标准,在内存性能方面实现了重大进步。

广发证券认为,随着CPU配比不断提升,X86-CPU配置的内存形态有望从传统RDIMM逐步向MRDIMM方案演进,需引入更复杂的接口芯片,推动配套芯片ASP提升。插满率提升叠加MRDIMM渗透,共同打开内存条与接口芯片空间。

财通证券指出,MRDIMM核心增量为MRCD和MDB芯片。在DDR5世代,MRDIMM内存条采用“1+10”架构,即配置1颗寄存时钟驱动器MRCD以及10颗数据缓冲器MDB。MRDIMM已适配英特尔第六代CPU,同时,内存厂商美光、SK海力士、威刚均已推出MRDIMM的新颖产品,仍有较大渗透空间。

该机构表示,假设2030年MRDIMM在悲观、中性、乐观假设下的渗透率分别为30%/50%/65%,MRCD的需求量有望分别为2.74/4.56/5.93亿个,MDB的需求量有望分别为27.36/45.60/59.28亿个。随着英特尔第六代CPU、MRDIMM技术持续渗透,有望持续拉动MRCD和MDB的需求量。

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热门评论
海阔天空回复2天前·上海1
三星、海力士都在搞,咱们的长存有没有机会跟进?
评论萝卜特回复2天前·上海2
1、背景补充 MRDIMM(多路复用列DIMM)是JEDEC主导的新一代服务器内存标准,由三星、SK海力士、美光等存储巨头联合开发。其核心突破在于通过双通道并行架构(支持同时运行两个内存通道),将数据传输速率提升至8800MT/s,较DDR5 RDIMM带宽提高近40%,显著缓解AI/HPC场景下的内存瓶颈。技术实现依赖专用接口芯片:1颗寄存时钟驱动器(MRCD)和10颗数据缓冲器(MDB),形成“1+10”架构。英特尔“至强6”等新一代CPU已开始适配该技术,但尚未大规模商用。 2、影响分析 产业链机会: - 接口芯片厂商直接受益:MRCD/MDB芯片为MRDIMM核心增量,2030年中性预测下全球需求量或达4.56亿颗(MRCD)和45.6亿颗(MDB)。澜起科技等接口芯片企业有望抢占增量市场。 - 存储模组升级需求:美光、SK海力士已推出MRDIMM样品,威刚等模组厂商跟进布局。渗透率提升(券商预估2030年达30%-65%)将拉动高端内存条出货。 行业趋势: - 服务器内存迭代加速:传统RDIMM向MRDIMM演进,推动数据中心算力效率提升,符合AI算力需求爆发趋势。 - 技术替代风险:DDR6研发同步推进(目标速率17.6Gbps),可能影响MRDIMM中长期生命周期,需关注技术路线竞争。 投资提示: 短期关注接口芯片及模组厂商技术进展,长期需评估DDR6替代风险。MRDIMM在AI服务器渗透率是关键变量,建议跟踪英特尔第六代CPU量产进度及头部云厂商采购动向。 (以上内容由AI生成,不构成投资建议,不代表刊登平台观点,请独立判断和决策。)