《科创板日报》6月15日讯（编辑 宋子乔） 近日，韩国政府正式启动“超级创新经济项目”，计划投入5000亿韩元（约合22.3亿元人民币）国家资金专项攻关下一代功率半导体技术。若算上民间配套资金，该研发项目总规模预计将膨胀至7500亿韩元（约合4.94亿美元）。

首尔经济日报报道称，韩国正将功率半导体定位为堪比存储芯片的核心战略产业。

在当地时间6月14日召开的紧急经济指挥部会议上，韩国副总理兼经济财政部长官具允哲敲定了该项目细则。韩国政府计划于本月内最终确定下一代功率半导体的商业化技术路线图，并要求产业链企业参与从材料、器件、模块到系统演示的全周期开发过程。

会议上，下一代功率半导体与小型模块化反应堆（SMR）和传感器人工智能一起，被视为确保未来增长引擎的重要项目。

具允哲表示，“我们将认真推进结构性改革和超创新经济项目，以发现第二、第三个半导体等未来增长引擎。”

此次攻关的焦点集中在以碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）为代表的化合物半导体上。韩国产业通商资源部此前已成立专项工作组，旨在升级釜山、浦项等地的专业园区晶圆厂。

功率半导体作为电能转换与控制的核心器件，是AI数据中心、新能源汽车、智能电网的关键支撑。在AI算力爆发背景下，数据中心海量电力的稳定高效运行高度依赖功率半导体。

相较于传统的硅基半导体，SiC、GaN等第三代半导体材料在耐高压、耐高温及高频环境下性能表现卓越，被视为提升人工智能数据中心能效、延长电动汽车续航及稳定国家电网的关键零部件。

机构最新研报显示，功率半导体正迎来景气上行周期。工银瑞信基金6月研报指出，受晶圆代工成熟制程产能收缩、AI算力需求爆发双重驱动，全球功率半导体呈现结构性紧缺，MOSFET、第三代半导体器件价格持续上涨，部分企业年内已二度调价。中信建投同步提到，AI服务器800V高压直流、固态变压器等新应用，正加速拉动高端功率器件需求，SiC/GaN市场进入高增长通道。