《科创板日报》7月15日讯（编辑 宋子乔） 7月14日，晶圆代工厂力积电披露2026年二季度业绩，该公司总经理朱宪国在业绩说明会上表示，公司自7月起将存储代工报价上调45%，提价效应预计11月起反映在营收上，同时8吋与12吋逻辑代工价格亦同步上调10至15%，有望进一步拉动营收、提升盈利，同时提高存储业务在整体营收中的占比。

2026年二季度，力积电实现营收172.91亿新台币，环比增长27%，同比增长53%；税后净利润32.91亿元新台币，同比扭亏为盈，不过受基数影响环比下滑77%。本季度毛利率回升至28%，环比提升18个百分点，创下三年半以来新高。

该季度其产能利用率达87%，虽较一季度的88%小幅回落1个百分点，但相较去年同期75%已大幅回升16个百分点。

分产品线来看，存储芯片业务仍是力积电该季度营收主力。DRAM涨价红利持续释放，该业务营收占比达46%；闪存（Flash）占比约6%；3D AI晶圆代工（含Interposer、IPD、WoW等先进封装技术）营收占比由3.2%提升至5.4%；另外，电源管理芯片（PMIC）的营收占比为15%，分立器件12%，集成混合信号芯片3%，图像传感器（CIS）4%，高压工艺芯片7%。

朱宪国指出，AI服务器持续消耗全球内存产能，头部云厂商已提前锁定行业未来数年的DRAM供应，预估DRAM供需缺口将延续至2027年。其2026年资本支出预算约4.88亿美元，资金将聚焦DRAM及3D AI晶圆代工先进封装相关产能建设，并持续推进P5厂稼动率爬坡进度。

朱宪国介绍，公司自主研发的OneX DRAM工艺已于6月进入小批量试产，现阶段持续推进良率优化与客户认证工作；和美光联合开发的OneP工艺计划明年一季度完成设备进场，目标2028年年中实现量产，持续推进DRAM工艺向更先进节点迭代。

闪存业务受益于AI服务器与AI终端设备需求拉动，SLC NAND市场价格持续上涨，NOR Flash也因供给格局调整迎来增长机遇。朱宪国表示，力积电目前NOR Flash月度投片量已突破一万片，还在持续扩充订单，相关产品将逐步导入竞争力更强的20纳米工艺，并推出新一代产品。

力积电董事长黄崇仁表示，公司将持续优化产品结构，提高AI芯片、车规芯片营收占比，同步完成新竹厂区产线升级与设备整合。随着3D AI晶圆代工新品逐步放量，该公司目标三年内将其营收占比从5%提升至20%。

近日，全球两大晶圆代工龙头台积电与三星电子先后启动新一轮调价，涨价潮传导至下游晶圆代工环节。台积电已通知英伟达、苹果、AMD等核心客户，计划将3nm、5nm及7nm制程价格上调5%-10%，覆盖其七成以上晶圆代工营收。三星电子紧随其后，针对4nm、5nm先进制程及部分车规8nm制程，将新客户供货价格提高约15%。

据国元证券统计，26H2全球十大晶圆厂平均稼动率提升至90%，26H1代工价格普遍上涨5%-15%。该机构预计，26Q3一般型DRAM合约价环比增13%-18%，NAND合约价环比增10%-15%。

东海证券表示，与过往良率稳定后价格逐步下调的惯例不同，本轮涨价核心驱动力为AI芯片订单持续放量，导致先进制程产能长期满载，叠加HBM产能挤占效应与2nm等下一代制程研发及设备投资成本走高，市场供需与投资成本分摊正取代工艺成熟度成为定价主导因素，晶圆代工正从“抢客户”的买方市场向“供应商主导定价”的卖方市场转变。

该机构进一步称，这一变化将推高AI芯片及终端产品制造成本，除晶圆涨价外，HBM价格攀升与先进封装产能紧缺，预计将共同抬升英伟达、苹果等公司的成本压力，并可能最终传导至AI服务器及智能手机等终端产品价格。