川财证券:产业内IGBT、MOSFET、二极管国产替代空间显著提升
【川财证券:产业内IGBT、MOSFET、二极管国产替代空间显著提升】《科创板日报》24日讯,昨日,国家发改委就此前文件展开政策解读,提出聚焦信息科技、高端装备、新材料、智能汽车等重点产业投资领域。川财证券在最新研报中指出,新能源汽车、智能汽车发展趋势明显, 高压、大电流、高频、高速背景下,产业内IGBT、MOSFET、二极管国产替代空间显著提升, 建议关注功率半导体(捷捷微电、斯达半导) 等。
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